江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的igbt结构及制备方法”的专利（申请公布号：cn118969825a），申请公布日为2024年11月15日。

该专利属于半导体技术领域，尤其关注IGBT器件的结构和制备工艺。其核心在于一种创新的纵向变掺杂IGBT结构，该结构包含：第一导电类型的半导体衬底；衬底正面设置的元胞区；以及衬底背面与集电极结构之间的过渡区。 过渡区由电场缓变层和场截止层构成，其中电场缓变层为第一导电类型的变掺杂层，场截止层为第一导电类型的重掺杂层，集电极结构则位于场截止层背面。 这种设计旨在有效避免因后续电场抬高而导致的器件失效问题。

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