天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“双自对准mosfet的制造方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为cn118969617a。

本发明提供一种双自对准MOSFET的制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，利用离子注入在外延层上形成阱区，在阱区上形成掩模层；打开有源区和栅极引出区上的掩模层以在其上形成凹槽，之后在凹槽的侧壁上形成第一侧墙，利用掩模层和第一侧墙为掩模刻蚀裸露的外延层，以形成自对准的栅极沟槽；在栅极沟槽中形成沟槽栅极结构；形成填充第一侧墙之间空间的接触孔纵向介质层，去除第一侧墙，形成覆盖有源区和栅极引出区上的第一光刻胶层，光刻打开有源区上的第一光刻胶层，以掩模层和接触孔纵向介质层为掩模进行自对准离子注入，以在裸露的外延层的上表面形成源区。本发明无需接触孔硅刻蚀即可将阱区引出；可进一步降低接触孔光刻偏移对器件的不良影响。

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