江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的igbt结构及制备方法”的专利（申请公布号：cn118969828a），公布日期为2024年11月15日。

该专利属于半导体技术领域，尤其是一种新型混合栅IGBT结构及其制造方法。该结构包含第一导电类型的半导体衬底，衬底正面生长有相同导电类型的外延层，外延层正面具有元胞结构，衬底背面则为集电极结构。其核心创新在于元胞结构中沟槽栅和平面栅的交替排列，两者之间设置发射极结构。这种设计显著提升了IGBT的短路能力，同时降低了EMI噪声，实现了性能的优化平衡。

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