上海新微半导体有限公司近日公布一项名为“一种半导体功率器件及其制作方法”的专利（申请公布号：cn118969754a），申请公布日为2024年11月15日。

该专利涉及一种新型半导体功率器件及其制造工艺。该器件包含器件层和顶部金属层，器件层中排列着多个沿第一方向分布的器件单元。顶部金属层与器件层电连接，并包含至少一个独立的漏极引出端、多个源极引出端和多个栅极引出端。其设计特点在于：源极引出端位于由多个栅极引出端构成的第一区域内，而漏极引出端的至少一部分位于由多个源极引出端构成的第二区域内。值得注意的是，第一区域和第二区域关于第一方向对称。

这种对称的顶部金属层布局显著缩小了板级并联应用中驱动回路到各个器件的环路面积，从而有效改善电流均分，简化板级并联应用。同时，电流在器件内部的路径更加紧凑，降低了寄生电感，最终减少了器件的功率损耗。

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